أعلنت شركة سامسونج عن نجاحها في شحن مليون وحدة من ذاكرة DRAM (D1x) DDR4 التي تأتي بدقة تصنيع 10 نانومتر (الأولى من نوعها عالمياً) والمبنية على تكنولوجيا تصنيع الأشعة فوق البنفسجية ( EUV).
وأوضح نائب الرئيس التنفيذي لقسم منتجات الـ DRAM والتكنولوجيا في شركة Samsung في تصريحات اعلامية "أن الانجاز الجديد سيساهم في توفير حلول DRAM الثورية لدعم عملائنا العالميين في مجال تكنولوجيا المعلومات".
وأضاف "يؤكد هذا التقدم الكبير على كيفية استمرارنا في المساهمة في الابتكار في حلول تكنولوجيا المعلومات من خلال تطوير تقنيات جديدة ومنتجات ذاكرة أفضل للجيل التالي لسوق الذاكرة".
وتقلل تقنية EUV من الخطوات المتكررة في عملية التصنيع وتساعد على توفير دقة أعلى للذاكرة ، مما يتيح أداءً أفضل ومردود أكبر بالإضافة إلى وقت تطوير أقل .
يذكر أن تقنية تصنيع EUV سيتم استخدامها بالكامل مستقبلا من ذاكرة DRAM من سامسونج ، بدءًا من الجيل الرابع المبني على دقة تصنيع 10 نانومتر أو دقة 14 نانومتر المطوّرة.
سيريانيوز
